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本发明涉及栅极空气腔结构射频HEMT器件及其制备方法，包括：衬底；依次层叠于衬底上的缓冲层、沟道层和势垒层；源极和漏极，位于所述势垒层表面两侧；第一p型半导体柱和第二p型半导体柱，设置于源极和漏极之间，位于所述势垒层表面；桥型栅极，位于第一、第二p型半导体柱的表面；其中，桥型栅极、第一p型半导体柱、第二p型半导体柱和势垒层之间形成栅极空气腔体。本发明栅极空气腔结构的设置使得射频HEMT器件的栅极与漏极和源极之间的电容大幅减小，器件的截止频率和最大震荡频率都大幅提升；并且与传统P‑GaN器件相比，
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113257901 A
(43)申请公布日 2021.08.13
(21)申请号 202110510990.3 H01L 21/335 (2006.01)
(22)申请日
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