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集成电路装置，包括具GAA晶体管的存储器单元及具虚拟FinFET的井带单元。GAA晶体管包括沿第一方向延伸的第一鳍片，而虚拟FinFET包括沿第一方向延伸的第二鳍片。GAA晶体管包括第一鳍片上的第一源极/漏极特征及第一源极/漏极特征间的悬挂通道层。第一源极/漏极特征包括第一类型掺杂物。悬挂通道层具有沿不同于第一方向的第二方向的第一通道宽度。虚拟FinFET包括第二鳍片上的第二源极/漏极特征及第二源极/漏极特征间的鳍片通道层。第二源极/漏极特征包括第二类型掺杂物。鳍片通道层具有沿第二方向的第二通道
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113270410 A
(43)申请公布日 2021.08.17
(21)申请号 202110357020.4
(22)申请日 2021.04.01
(30)优先权数据
16/837,97
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