原创力文档- 3
- 0
- 约1.91万字
- 约 11页
- 2023-06-17 发布于四川
- 举报
本发明属于复合材料制备技术领域，涉及钴掺杂MoS2/NiS2多孔异质结构材料制备方法。本发明以导电碳布为功能基底，通过系列的水热、煅烧、溶剂热反应在活化后的碳布纤维上均匀生长NiS2纳米片；以NiS2纳米片的硫原子为“种子”，NiS2纳米片2D结构为骨架，在NiS2纳米片上同步生长MoS2纳米片和进行钴掺杂，得到钴掺杂、MoS2纳米微球包裹的NiS2多孔异质结构。本发明自下而上制备Co‑MoS2/NiS2/CC，操作过程简单可控，产物负载率高；催化剂由NiS2纳米片支撑，生长在NiS2纳米片上的
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113279005 A
(43)申请公布日 2021.08.20
(21)申请号 202110420166.9
(22)申请日 2021.04.19
(71)申请
文档评论（0）