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公开了存储装置、存储系统和存储装置的操作方法。所述存储装置包括：具有第一单元区域和第一金属垫的第一半导体结构，其中，存储器单元设置在第一半导体基底上，第一金属垫设置在第一单元区域上方。第二半导体结构具有：在第二半导体基底上且外围电路设置在其上的外围电路区域、包括多个第二存储器单元的第二单元区域以及键合到第一金属垫的第二金属垫。第三半导体结构包括：存储器控制器，设置在第三半导体基底上并且通过穿透第三半导体基底的连接过孔而连接到第三金属垫。连接结构穿透第二半导体基底并将存储器控制器连接到第二半导体结
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116264774 A
(43)申请公布日 2023.06.16
(21)申请号 202211582699.8 H10B 41/40 (2023.01)
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