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CIS芯片深阱设计方法与制作工艺方法.pdfVIP

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  • 2023-06-17 发布于四川
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CIS芯片深阱设计方法与制作工艺方法.pdf

    本发明公开了一种CIS芯片深阱设计方法与制作工艺方法，将原来pitch大小为A的DPW设为光罩DPW1，将光罩DPW1图案沿X方向和Y方向各移动A/2得到图案设为光罩DPW2,然后两块光罩图形重叠即得到pitch为A/2的图案；在制作工艺中，在一次曝光过程中先用光罩DPW1进行曝光，然后用光罩DPW2进行曝光，再进行烘烤和显影处理，最终得到pitch为A/2的图形。同时在光罩中的特殊设计不但能得到较好的图形形貌，而且还保证了DPW1图形和DPW2相互间的对准以及它们对于前层的对准，并且可以降低工

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113270436 A (43)申请公布日 2021.08.17 (21)申请号 202110554280.0 (22)申请日 2021.05.20 (71)申请人 上海

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