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- 2023-06-17 发布于四川
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一种半导体器件包括多个鳍结构，每个鳍结构均从衬底垂直向上突出，并且在俯视图中均沿第一方向延伸。栅极结构设置在鳍结构上方。在俯视图中，栅极结构沿第二方向延伸。第二方向不同于第一方向。鳍结构具有等于以下各项之和的鳍间距：鳍结构之一在第二方向上的尺寸和相邻的一对鳍结构之间在第二方向上的距离。栅极结构的端部段沿第二方向延伸超出最近的鳍结构的边缘。端部段在俯视图中具有渐缩轮廓，或者在第二方向上是鳍间距的至少4倍长。根据本申请的其他实施例，还提供了形成半导体器件的方法。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113284891 A
(43)申请公布日 2021.08.20
(21)申请号 202110185397.6 H01L 21/8234 (2006.01)
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