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一种电阻式随机存取存储器(RRAM)结构，包括分别与第一金属连接线和第二金属连接线电耦合的顶部电极和底部电极(106、108)，所述第一金属连接线和所述第二金属连接线提供到所述RRAM结构的电连接。电阻转换材料(106)的层设置在RRAM结构的顶部电极和底部电极(106、108)之间。所述电阻转换材料(106)在至少电场和/或热的影响下表现出可测量的电阻变化。电介质间隔体(324)至少形成于RRAM结构的底部电极的侧壁上。RRAM结构还包括钝化层(326)，其形成在电介质间隔体(324)的上表面
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114846636 A
(43)申请公布日 2022.08.02
(21)申请号 202080086886.X (74)专利代理机构 北京市柳沈律师事务所
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