一种提高膜附着性的半导体激光器腔面镀膜方法.pdfVIP

下载本文档

11
0
约1.35万字
约 9页
2023-06-17 发布于四川
举报
版权申诉

一种提高膜附着性的半导体激光器腔面镀膜方法.pdf

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本发明涉及一种提高膜附着性的半导体激光器腔面镀膜方法。包括将半导体激光器芯片解理成巴条，用夹具固定，然后进行腔面处理，在腔面上蒸镀保护层，再于保护层上蒸镀增透膜和高反膜，完成半导体激光器腔面镀膜。发明采用电子束蒸发设备并辅助离子源镀膜的方法，在镀膜前先进行等离子体处理，促进吸附气体和表面杂质解吸，去除不稳定氧化物，并增加腔面微观粗糙度，提高薄膜和腔面材料的结合强度，然后在处理后的前后腔面蒸镀保护层。在蒸镀完增透膜保护层后，再蒸镀增透膜和高反膜，进而提高腔面材料和薄膜的附着力，避免薄膜脱层，同时具

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116262966 A (43)申请公布日 2023.06.16 (21)申请号 202111525035.3 (22)申请日 2021.12.14 (71)申请人山东华光光电子股