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- 2023-06-17 发布于四川
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本发明公开了一种IV‑VI族红外半导体薄膜的制备方法，采用气相外延法进行制备，该方法以含IV‑VI族元素的化合物为反应源，反应源还可包含VI族单质材料，以与IV‑VI族红外半导体晶体晶格对称性匹配的晶体基片作为基底，以氩气为载气，VI族单质反应源温度为100‑500℃，IV‑VI族化合物反应源的温度范围为600‑1000℃，基底温度范围为300‑600℃，生长时间不少于6分钟。本发明还公开了上述方法制备的IV‑VI族红外半导体薄膜，包括PbS、PbSe、PbTe、Pb1‑xSnxS、Pb1‑xS
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113279063 A
(43)申请公布日 2021.08.20
(21)申请号 202110441818.7
(22)申请日 2021.04.23
(71)申请人 南昌大学
地址 33
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