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本发明公开一种半导体器件和包括该半导体器件的数据存储系统，该半导体器件包括：基板，包括第一区域和第二区域；栅电极，在第一方向上堆叠在第一区域上，在第二区域上以不同的长度在第二方向上延伸，并分别包括在第二区域中的焊盘区域，该焊盘区域具有被向上暴露的上表面；与栅电极交替堆叠的层间绝缘层；沟道结构，在第一方向上延伸并穿透栅电极；插塞绝缘层，在焊盘区域下面与层间绝缘层交替地设置并平行于栅电极；以及接触插塞，在第一方向上延伸并分别穿透焊盘区域和在焊盘区域下面的插塞绝缘层。在每个栅电极中，焊盘区域具有与除了
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114582883 A
(43)申请公布日 2022.06.03
(21)申请号 202111453294.X
(22)申请日 2021.12.01
(30)优先权数据
10-2020-0165657
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