增强读取感测裕度并使SRAM单元阵列的VDD最小.pdfVIP

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2023-06-17 发布于四川
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增强读取感测裕度并使SRAM单元阵列的VDD最小.pdf

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公开了一种用于存储数据的集成电路的结构。该集成电路包括以静态随机存取存储器(SRAM)架构配置的位单元的存储器单元阵列。存储器单元阵列耦合到按行布置的字线，这些字线控制诸如读取操作和写入操作之类的操作。为了增强SRAM配置的读取感测裕度，位单元的读取端口可以包括驱动两个晶体管(例如，PMOS晶体管和NMOS晶体管)的字线以减少来自读取位线的数据相关电流泄漏。可以在集成电路中使用附加弱晶体管保持器配置以补偿来自读取位线的电流泄漏。例如，包括感测放大器、反相器和连接到供应电压VDD的NMOS的弱NM

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113287170 A (43)申请公布日 2021.08.20 (21)申请号 202080007940.7 (74)专利代理机构北京市金杜律师事务所