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一种真空溅射连续沉积镀铜膜方法.pdfVIP

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  • 2023-06-17 发布于四川
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一种真空溅射连续沉积镀铜膜方法.pdf

    本发明公开了一种真空溅射连续沉积镀铜膜方法，属于真空镀膜领域。本发明的一种真空溅射连续沉积镀铜膜方法，将Cu沉积和Ar离子轰击作为一个沉积单元，重复3～5次即可完成超过600nm厚度铜膜的镀层，Ar离子轰击可以有效促进铜离子(粒子(原子或原子团))成膜，并降低成膜过程中的缺陷，保证了铜膜导电率和与基底的附着力。本发明的一种真空溅射连续沉积镀铜膜方法尤其适用于工程塑胶类基材上导电线路所需的铜膜镀层生产，可广泛应用于电子型(信)号传输、芯片承载等电子产品生产。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113278934 A (43)申请公布日 2021.08.20 (21)申请号 202110452009.6 (22)申请日 2021.04.26 (71)申请人 深圳

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