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通过在超导体层(410)上形成限定器件区和器件区内的感测区的第一抗蚀剂图案来制造量子计算器件。感测区内的超导体层被去除，从而暴露器件区外的底下半导体层(340)的区。对半导体层的暴露区进行注入，形成围绕器件区的隔离区(240，2150)。在注入之后使用蚀刻工艺，感测区和超导体层的器件区的邻近隔离区的部分被暴露。通过在感测区内沉积第一金属层形成隧道结栅极(204)。包括反射测量区内的第二金属的反射测量导线(202)被形成。纳米柱触点(206，212)使用器件区的感测区外的部分内的第二金属来形成。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114667608 A
(43)申请公布日 2022.06.24
(21)申请号 202080077908.6 (74)专利代理机构 北京市柳沈律师事务所
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