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半导体器件的制备方法.pdfVIP

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  • 2023-06-17 发布于四川
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半导体器件的制备方法.pdf

    本发明提供了一种半导体器件的制备方法，包括：提供基底，在所述基底上形成介质层；在所述介质层中形成若干通孔，所述通孔贯穿所述介质层并延伸至所述基底中；在所述介质层上及所述通孔的底部形成第一金属层；对所述第一金属层执行第一退火工艺；去除所述介质层的表面的第一金属层；对所述通孔的底部的第一金属层执行第二退火工艺；本发明无需现有技术中的光罩，优化了制造工艺且减小通孔的接触电阻。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113284798 A (43)申请公布日 2021.08.20 (21)申请号 202110461287.8 (22)申请日 2021.04.27 (71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司

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