日盲紫外单光子源及其制备方法.pdfVIP

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2023-06-17 发布于四川
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日盲紫外单光子源及其制备方法.pdf

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本发明公开了一种日盲紫外单光子源及其制备方法，包括宽禁带半导体p型层、i型本征层、单量子点和n型层构成的量子点嵌埋pin纳米线或量子点嵌埋pin薄膜，pin结构中量子点的禁带宽度大于4.43eV，且pin结构采用禁带宽度大于量子点的半导体材料，从而形成类量子阱结构以增强对单量子点的量子限制；本发明对于光泵浦和电泵浦两种激发方式均适用，既可垂直于衬底发射，也可平行于衬底发射，因此既可用于自由空间单光子源也可用于片上集成单光子源；其发射波长在小于280nm的日盲波段，且宽禁带量子点适于室温乃至高

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 107919604 A (43)申请公布日 2018.04.17 (21)申请号 20171