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- 2023-06-17 发布于四川
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本发明涉及一种垂直MOSFET器件及其制造方法、应用。方法包括：衬底上形成由下至上垂直堆叠的第一硅层、第一锗硅层、第二锗硅层、第三锗硅层、第二硅层；其中，第一锗硅层和第三锗硅层中锗的摩尔含量都大于第二锗硅层中锗的含量；刻蚀形成纳米堆叠结构；选择性刻蚀第一锗硅层和第三锗硅层，从而形成第一凹槽、第三凹槽；在第一凹槽、第三凹槽内形成扩展区内侧墙；选择性刻蚀第二锗硅层，形成栅极凹槽；在栅极凹槽内形成假栅；形成源漏极；形成具有浅沟槽隔离层的有源区；去除假栅，形成栅介质层、栅极。本发明能够很好的控制沟道尺寸
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114420751 A
(43)申请公布日 2022.04.29
(21)申请号 202111479807.4
(22)申请日 2021.12.06
(71)申请人 北京
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