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本发明的目的是使在多孔质碳支持体上形成有致密碳层的流体分离用碳膜抑制缺陷。本发明的流体分离用碳膜，其是在多孔质碳支持体上形成有致密碳层的流体分离用碳膜，在将多孔质碳支持体的膜厚方向的中心位置处的硅原子的含量相对于碳原子与硅原子的合计含量的比例设为X(原子％)，并将距多孔质碳支持体与致密碳层的界面3μm的多孔质碳支持体侧的位置处的硅原子的含量相对于碳原子与硅原子的合计含量的比例设为Y(原子％)时，为X
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113272049 A
(43)申请公布日 2021.08.17
(21)申请号 202080008424.6 (74)专利代理机构 北京市中咨律师事务所
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