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单芯片窄线宽半导体激光器及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-06-19 发布于四川
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单芯片窄线宽半导体激光器及其制备方法.pdf

    本发明提供一种单芯片窄线宽半导体激光器及其制备方法，其中的单芯片窄线宽半导体激光器包括外延结构，在外延结构上制备有激光器波导结构，激光器波导结构包括用于增加谐振腔长度以窄化输出激光线宽的Y型波导和位于Y型波导长度方向两端形成游标效应以窄化输出激光线宽的第一高反射布拉格光栅及第二高反射布拉格光栅。本发明通过采用两组周期细微差异的高反射布拉格光栅作为纵模选择结构，形成游标效应，降低激光器输出激光的线宽，实现窄线宽单纵模激光的选择；同时采用Y形波导，增大激光器谐振腔的长度和有源层的体积，提高光子寿命，

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113285348 A (43)申请公布日 2021.08.20 (21)申请号 202110554340.9 (22)申请日 2021.05.20 (71)申请人 中国科学院长春光学精密机械与物

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