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一种晶振片防跳频镀膜工艺.pdfVIP

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  • 2023-06-19 发布于四川
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一种晶振片防跳频镀膜工艺.pdf

    本发明公开了一种晶振片防跳频镀膜工艺，晶振片放置于镀膜机的操作箱内进行加工，镀膜机设置有二氧化硅蒸发源，其镀膜的具体步骤为：步骤S1、启动镀膜机，镀膜机往操作箱内通入氩气形成无氧环境；步骤S2、真空镀膜机在晶振片的表面镀上第一层二氧化硅，第一层二氧化硅的厚度为4～5nm；步骤S3、完成第一层二氧化硅镀膜后，晶振片间隔冷却后，再在第一层二氧化硅的表面镀上第二层二氧化硅，第二层二氧化硅的厚度为20～30nm；步骤S4、完成镀膜，停止镀膜机，取出晶振片。本发明的有益效果是：本镀膜工艺采用相同的材料进行

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113278922 A (43)申请公布日 2021.08.20 (21)申请号 202110569129.4 (22)申请日 2021.05.25 (71)申请人 东莞市长益光电有限公司

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