原创力文档- 28
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- 2023-06-19 发布于四川
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本发明提供了一种监测栅极氧化层的击穿电压的方法，用于监测半导体结构的栅极氧化层的击穿电压，包括：形成半导体结构，半导体结构包括：有源区、浅沟槽隔离结构、栅极氧化层和多晶硅栅极，浅沟槽隔离结构形成在有源区内，浅沟槽隔离结构将有源区的上半部分分隔成多个块状结构，栅极氧化层覆盖有源区和浅沟槽隔离结构，多晶硅栅极覆盖部分栅极氧化层；在栅极氧化层的边缘处形成连接有源区的第一接触窗，在多晶硅表面形成连接多晶硅栅极的第二接触窗；测试第一接触窗和第二接触窗之间的电压，作为栅极氧化层的击穿电压。监测栅极氧化层的击
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113284818 A
(43)申请公布日 2021.08.20
(21)申请号 202110552647.5
(22)申请日 2021.05.20
(71)申请人 广州粤芯半导体技术有限公司
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