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提供一种测定方法及测定系统，其能够去除半导体制造装置内的噪声，并对半导体制造装置内的物理特性精确地进行预测。该测定方法由具有腔室的半导体制造装置进行，该测定方法包括：基于在未将能够进行无线通信的夹具布置在所述腔室内的状态下发送至所述腔室内的电信号，取得具有所述腔室内的谐振频率的第一测定数据，并将该第一测定数据作为基准数据的工序；基于在将所述夹具布置在所述腔室内的状态下发送至所述腔室内的电信号，取得具有所述腔室内的谐振频率和由在所述夹具上搭载的传感器所检测出的谐振频率的第二测定数据的工序；以及从取
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113310594 A
(43)申请公布日 2021.08.27
(21)申请号 202110189877.X
(22)申请日 2021.02.18
(30)优先权数据
2020-0303
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