半导体器件、半导体结构及其形成方法.pdfVIP

半导体器件、半导体结构及其形成方法.pdf

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根据本公开的半导体器件包括：鳍结构，位于衬底上方；竖直堆叠的硅纳米结构，设置在鳍结构上方；隔离结构，设置在鳍结构周围；含锗界面层，包围在每一个竖直堆叠的硅纳米结构周围；栅极介电层，包围在含锗界面层周围；以及栅电极层，包围在栅极介电层周围。本申请的实施例提供了半导体器件、半导体结构及其形成方法。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113299733 A (43)申请公布日 2021.08.24 (21)申请号 202110197939.1 H01L 29/423 (2006.01)

知识产权出版社有限责任公司（原名专利文献出版社）成立于1980年8月，由国家知识产权局主管、主办。长期以来，知识产权出版社非常重视专利数据资源的建设工作，经过多年来的积累，已经收藏了数以亿计的中外专利数据资源。

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