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晶体管器件及其形成方法、集成芯片.pdfVIP

晶体管器件及其形成方法、集成芯片.pdf

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    在一些实施例中，本发明涉及一种晶体管器件。该晶体管器件包括设置在衬底上方的源极接触件。源极接触件具有设置在第一端部和相对的第二端部之间第一侧和相对的第二侧。漏极接触件设置在衬底上方，并且沿着第一方向与源极接触件分隔开。栅极结构设置在源极接触件和漏极接触件之间的衬底上方。栅极结构沿着源极接触件的面向漏极接触件的第一侧延伸，并且还包裹源极接触件的第一端部和相对的第二端部。本发明的实施例还涉及晶体管器件的形成方法、集成芯片。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113314602 A (43)申请公布日 2021.08.27 (21)申请号 202011291682.8 H01L 29/78 (2006.01)

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