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    在漂移层与体层(13)的层叠方向上，在一个方向上，主接触沟槽(19m)及形成于主单元区域(Rm)的第1杂质区域(14)比主上部电极(22m)更向感测上部电极(22s)侧突出，感测接触沟槽(19s)及形成于感测单元区域(Rs)的第1杂质区域(14)比感测上部电极(22s)更向主上部电极(22m)侧突出。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113302732 A (43)申请公布日 2021.08.24 (21)申请号 202080009119.9 (74)专利代理机构 永新专利商标代理有限公司

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