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分子束外延技术制备(00l)择优取向低熔点铋薄膜的方法.pdfVIP

分子束外延技术制备(00l)择优取向低熔点铋薄膜的方法.pdf

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    本发明提供一种利用分子束外延技术制备(00l)择优取向低熔点金属铋薄膜的方法，属于薄膜制备技术领域。该方法是将高纯金属铋加热到一定饱和蒸气压，铋原子束源喷射到衬底上形成具有择优取向的铋薄膜。本发明方法制备的铋薄膜具有较高(00l)择优取向、较小表面粗糙度，膜厚度可精确控制，强疏水性和优异的输运性能，而且工艺成本低，重复性好，可实现大规模的工业化生产。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113322514 A (43)申请公布日 2021.08.31 (21)申请号 202110562374.2 (22)申请日 2021.05.24 (71)申请人 沈阳大学 地址 11

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