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表面具有凹槽的单晶硅片、异质结太阳电池及制备方法.pdfVIP

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  • 2023-06-20 发布于四川
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表面具有凹槽的单晶硅片、异质结太阳电池及制备方法.pdf

    本发明提供一种表面具有凹槽的单晶硅片、异质结太阳电池及制备方法。硅片的正面和背面均设有凹槽，凹槽的深度为5‑50μm，凹槽的宽度为10‑100μm，凹槽的内部形貌包括台阶状和金字塔状中的一种或两种，凹槽外的单晶硅片表面形貌包括金字塔状，台阶和金字塔的表面对应硅晶体的(111)晶面，位于同一斜面的相邻台阶棱的间距为0.1‑10μm，金字塔高度为0.1‑10μm。本发明在用于制备异质结太阳电池时，可增大栅线与透明导电薄膜的接触面积，提高太阳电池的填充因子FF和电极的焊接拉力，减少栅线的遮光面积，可显

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113327999 B (45)授权公告日 2023.04.07 (21)申请号 202110671680.X H01L 31/0352 (2006.01)

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