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半导体装置的制造方法.pdfVIP

半导体装置的制造方法.pdf

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    本发明进行以下工序：准备具有漂移层(13)的基板；通过进行外延生长，在漂移层(13)上构成沟道层(14)而形成半导体基板(10)；以半导体基板(10)的厚度方向为深度方向，通过进行离子注入，在沟道层(14)中形成从半导体基板(10)的一面(10a)沿深度方向延伸的栅极层(15)，并且在沟道层(14)中的与栅极层(15)分离的位置，形成从半导体基板(10)的一面(10a)沿深度方向延伸的体层(16)；通过进行离子注入，在沟道层(14)中的位于栅极层(15)与漂移层(13)之间的部分，形成以与栅极层

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113316837 A (43)申请公布日 2021.08.27 (21)申请号 202080009808.X (74)专利代理机构 永新专利商标代理有限公司

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