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一些实施例包含设备和形成所述设备的方法。所述设备中的一个包含多个二晶体管(2T)存储器单元。所述多个2T存储器单元中的每一个包含：p沟道场效应晶体管(PFET)，其包含电荷存储节点和读取沟道部分；n沟道场效应晶体管(NFET)，其包含写入沟道部分，所述写入沟道部分直接耦合到所述PFET的所述电荷存储节点；单一位线对，其耦合到所述PFET的所述读取沟道部分；和单一存取线，其与所述读取沟道部分和所述写入沟道部分中的每一个的至少一部分重叠。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113302737 A
(43)申请公布日 2021.08.24
(21)申请号 201980088970.2 (74)专利代理机构 北京律盟知识产权代理有限
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