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本发明涉及半导体加工技术领域，公开了一种半导体器件的保护方法及装置，对衬底进行研磨，利用研磨的方法在衬底的靠近边缘的部分加工出圆环形的保护区，在保护区中心形成生长区，保护区的高度低于生长区的高度，然后在衬底的保护区和生长区上均通过成膜法形成保护层；之后对衬底进行研磨，去除生长区表面的保护层，仅在保护区的表面保留保护层；然后抛光、清洗、烘干，获得能够避免半导体层裂纹缺陷的衬底；本发明在衬底外周加工出环形的保护层，限制半导体层向衬底的周边生长，能够避免裂纹缺陷的产生，与此同时，保护层的表面低于用于生
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113299540 A
(43)申请公布日 2021.08.24
(21)申请号 202110846930.9
(22)申请日 2021.07.27
(71)申请人 江苏茂硕新材料科技有限公司
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