一种积累型沟道结构的T-gate沟槽碳化硅晶体管及其制作方法.pdfVIP

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2023-06-20 发布于四川
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一种积累型沟道结构的T-gate沟槽碳化硅晶体管及其制作方法.pdf

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本发明涉及半导体技术领域，公开了一种积累型沟道结构的T‑gate沟槽碳化硅晶体管，包括衬底、缓冲层和外延薄膜；外延薄膜顶部中心的设置有沟槽，沟槽的侧壁和底部分别设有第一栅氧化层和第二栅氧化层；沟槽内部填充有栅电极；沟槽两侧对称设有基底和基区；基区顶部覆盖源区；源区和栅电极的顶部覆盖有隔离介质层；源区、基区、基底和隔离介质层顶部设有源电极；衬底背面设有漏电极。本发明的沟槽型碳化硅晶体管采用积累型沟道结构代替传统器件中的反型层沟道，以此来提高沟道载流子迁移率，降低晶体管的沟道电阻和阈值电压。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113299748 A (43)申请公布日 2021.08.24 (21)申请号 202110568683.0 H01L 21/336 (2006.01)

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