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本发明属于功率半导体生产技术领域,尤其为一种陶瓷衬底图形化结构及其制造方法,所述陶瓷衬底图形化结构包括陶瓷基板、结合层、焊料层和铜铂,所述结合层、焊料层和铜铂层由内而外依次贴合于陶瓷基板的上下表面,所述陶瓷基板、结合层、焊料层和铜铂通过活性钎焊法制造而成的覆铜陶瓷衬底,采用曝光与显影的方式,通过蚀刻液对覆铜陶瓷衬底进行蚀刻,形成陶瓷衬底的图形化结构,所述陶瓷基板为氮化物陶瓷或氧化物陶瓷。本发明能够实现陶瓷覆铜板图形化,经化学抛光处理除去不需的铜层及降低铜表面粗糙度,具有使用周期长,稳定性好,蚀刻
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113314473 A
(43)申请公布日 2021.08.27
(21)申请号 202110574537.9 C23F 1/34 (2006.01)
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