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半导体器件及其形成方法.pdfVIP

半导体器件及其形成方法.pdf

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    一种半导体器件，包括：第一多栅极场效应晶体管(FET)，设置在衬底上方，所述第一多栅极FET包括第一有源区；以及第二多栅极FET，设置在第一多栅极FET上方，第二多栅极FET包括第二有源区。沿着垂直于衬底的竖直方向，第一有源区和第二有源区不完全投影。本发明的实施例还提供了一种用于形成半导体器件的方法。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113314528 A (43)申请公布日 2021.08.27 (21)申请号 202011249564.0 (22)申请日 2020.11.10 (30)优先权数据 16/803,26

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