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本发明适用于太阳能电池技术领域，提供了一种选择性接触区域掩埋型太阳能电池及其背面接触结构，该背面接触结构包括间隔设置于硅衬底背面的凹槽；设置在硅衬底背面的第一电介质层；设置于第一电介质层上，且设置在凹槽内的第一掺杂区域；设置于第一电介质层上，且设置在凹槽外的第二掺杂区域；设置于第一掺杂区域和第二掺杂区域之间的第二电介质层，第二电介质层为至少一层；及设置在第一掺杂区域和第二掺杂区域上的导电层。本发明中提供的背面接触结构，解决了现有对于沟槽宽度控制要求高及钝化效果差的问题。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113299771 A
(43)申请公布日 2021.08.24
(21)申请号 202110627510.1 H01L 31/18 (2006.01)
(22)申请日 2
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