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晶棒生长控制方法以及控制系统.pdfVIP

晶棒生长控制方法以及控制系统.pdf

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    本发明提供一种晶棒生长控制方法以及控制系统，所述晶棒生长温度优化方法至少包括：设定目标晶棒直径、目标提拉速度以及目标生长温度；检测实际晶棒直径并根据所述实际晶棒直径调整提拉速度，形成实际提拉速度，并将所述实际提拉速度与所述目标提拉速度进行比较；当所述实际提拉速度与所述目标提拉速度的差值超出偏差范围时，对目标生长温度进行调整，形成新目标生长温度；重复以上步骤，直至完成晶棒生长。本发明通过在晶棒生长过程中对晶体生长温度的实时校正，减小实际生长温度与目标温度之间的差距，实现晶体生长过程中的精细化控制，

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113293433 B (45)授权公告日 2022.08.16 (21)申请号 202010107769.9 (56)对比文件

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