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本发明提供一种应用于半导体光刻工艺中的掩膜版及光刻工艺方法，所述掩膜版包括至少一图形组，每一所述图形组包括至少一透光区和至少一遮挡区，所述透光区和所述遮挡区间隔排列，经过曝光后，每一所述图形组在晶圆上形成一独立标记。本发明的优点在于，根据所述掩膜版在晶圆上形成的独立标记具有与所述掩膜版的图形轮廓形状相同的形状，不会出现图案缺陷，提高了在晶圆上形成的独立标记图形的准确度，进而提高了半导体光刻工艺的对准精度及半导体制程的后续工艺中叠对准确性，提高产品质量和良率。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113296354 B
(45)授权公告日 2023.04.07
(21)申请号 202010109639.9 H01L 23/544 (2006.01)
(22)申请日 2020.0
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