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本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种纳米金颗粒修饰的伪MOS生化分子传感器及其制备方法。本发明的伪MOS生化分子传感器包括衬底、氧化埋层、沟道、纳米金颗粒、生物分子或化学分子；衬底、氧化埋层和沟道共同组成伪MOS结构；纳米金颗粒通过电子束蒸发镀膜工艺修饰在伪MOS结构沟道表面，作为伪MOS结构沟道与生化分子或化学分子之间的“linker”，从而更好地固载生化分子，提高生化分子传感器的检测性能。本发明生化分子传感器可用于核酸、蛋白、酶等各种生物分子，以及无机小分子和有机小分子等的灵敏和超灵敏检
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113311047 B
(45)授权公告日 2022.06.21
(21)申请号 202110490876.9 (56)对比文件
(22)申请日 2021.05.06
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