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在一种制造半导体器件的方法中，在衬底上方形成第一导电层。在第一导电层上方形成第一光刻胶层。使用第一光刻胶层作为蚀刻掩模来蚀刻第一导电层，以形成第一导电层的岛状图案，该岛状图案通过环形槽与第一导电层的母线图案分离。形成连接图案以连接岛状图案和母线图案。在第一导电层和连接图案上方形成第二光刻胶层。第二光刻胶层包括在岛状图案上方的开口。在开口中的岛状图案上形成第二导电层。去除第二光刻胶层，并且去除连接图案，从而形成凸块结构。本申请的实施例还涉及半导体器件。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113314492 A
(43)申请公布日 2021.08.27
(21)申请号 202110216572.3
(22)申请日 2021.02.26
(30)优先权数据
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