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- 2023-06-20 发布于四川
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提供一种新颖的半导体装置。一种半导体装置,包括:第一晶体管;以及第二晶体管。第一晶体管包括:第一栅电极;第一栅电极上的第一绝缘膜;第一绝缘膜上的第一氧化物半导体膜;第一氧化物半导体膜上的第一源电极及第一漏电极;第一氧化物半导体膜、第一源电极及第一漏电极上的第二绝缘膜;以及第二绝缘膜上的第二栅电极。第二晶体管包括:第一漏电极;第一漏电极上的第二绝缘膜;第二绝缘膜上的第二氧化物半导体膜;第二氧化物半导体膜上的第二源电极及第二漏电极;第二氧化物半导体膜、第二源电极及第二漏电极上的第三绝缘膜;以及第三绝
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113327948 A
(43)申请公布日 2021.08.31
(21)申请号 202110634377.2 (51)Int.Cl.
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