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本发明属于半导体器件和集成电路工艺技术领域，具体涉及硅器件背面金属化结构和工艺。所述结构在背面衬底轻掺杂n型硅片的表面至少沉积有第一金属层铪，然后沉积其他层。所述工艺包括正面保护、背面减薄、背面抛光、清洗、物理气相沉积等工艺步骤。本发明利用铪与硅形成欧姆接触的特点，在轻掺杂n型硅片的背面制备一层铪，具有低成本优势和更低的接触电阻、更好的粘附性、良好的导电性、导热性和合适的热膨胀系数，有效提高硅器件制造过程中的良率和使用中的可靠性。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113299621 A
(43)申请公布日 2021.08.24
(21)申请号 202110569092.5
(22)申请日 2020.01.02
(62)分案原申请数据
2020100
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