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半导体器件及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-06-20 发布于四川
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半导体器件及其制造方法.pdf

    本发明提供的一种半导体器件及其制造方法中，由于在第一基底的侧壁和朝向所述第二基底的表面上形成有第一氮化层，第一基板上的第一氮化层即可用于对基板进行隔离保护，其中，第一氮化层不仅能够保护第一基板的侧壁，尤其能够对第一基板朝向第二基板的表面进行保护。同时，第一氮化层还可用于与第二基板上的第二氮化层相互键合，从而实现了第一基板和第二基板的键合集成。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113327914 A (43)申请公布日 2021.08.31 (21)申请号 202110587354.0 (22)申请日 2021.05.27 (71)申请人 武汉新芯集成电路制造有限公司

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