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本发明公开了一种MEMS硅基腔体环行器/隔离器电路膜层结构，属于微波集成器件领域，所述电路膜层结构从上至下依次包括金膜层、铜膜层、氮化钽负载膜层、打底膜层、隔离膜层和高阻硅层，优选在所述金膜层与铜膜层之间，还设置有阻挡膜层；本发明还公开了上述电路膜层结构的制备方法；使用本申请的电路膜层结构与现有技术相比，MEMS硅基腔体环行器/隔离器器件的插入损耗能够降低0.2‑0.3dB，满足MEMS硅基腔体环行器/隔离器器件应用的低损耗要求。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113292039 A
(43)申请公布日 2021.08.24
(21)申请号 202110599002.7
(22)申请日 2021.05.31
(71)申请人 中国电子科技集团公司第九研究所
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