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具有加以激光退火的单个TMR膜的磁性传感器阵列及其表征.pdfVIP

具有加以激光退火的单个TMR膜的磁性传感器阵列及其表征.pdf

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    本公开整体涉及具有四个电阻器的惠斯通电桥阵列。每个电阻器包括多个TMR膜。每个电阻器具有相同的TMR膜。两个电阻器的这些TMR膜具有参考层，这些参考层相对于另外两个电阻器的这些TMR膜具有反平行的磁性取向。为了确保该反平行磁性取向，这些TMR膜全部同时形成并且同时在磁场中退火。此后，两个电阻器的这些TMR膜在磁场中第二次退火，而另外两个电阻器的这些TMR膜不第二次退火。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113316725 A (43)申请公布日 2021.08.27 (21)申请号 202080007183.3 (74)专利代理机构 北京纪凯知识产权代理有限

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