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本发明提供了一种低结电容瞬时电压抑制二极管的制备方法，包括如下步骤：磷扩散：选取N‑型单晶硅片，在N‑型单晶硅片上掺入N型杂质磷，形成NN‑N结硅片；磨片：将NN‑N结硅片磨去一面N区域，形成NN‑结；硼扩散：在磨片后的硅片上掺入P型杂质硼，形成P+NN‑P+结；蒸铝：对进行硼扩散后的硅片的两面进行蒸铝；切割：将蒸铝后的硅片分割为单管芯。通过本发明制备的低结电容瞬时电压抑制二极管，提供了低电阻率的衬底片，磷扩散工艺中较低的掺杂浓度，在不增加工艺步骤、复杂度的情况下得到了P+NN‑P+的掺杂结构，
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113314411 A
(43)申请公布日 2021.08.27
(21)申请号 202110639418.7
(22)申请日 2021.06.08
(71)申请人 深圳技术大学
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