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工艺自补偿CMOS电压基准源及其设计方法.pdfVIP

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  • 2023-06-20 发布于四川
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工艺自补偿CMOS电压基准源及其设计方法.pdf

    本发明提供一种工艺自补偿CMOS电压基准源及其设计方法，包括分别计算MOS晶体管在无衬底偏置效应下和有衬底偏置效应下的阈值电压,将阈值电压在SS工艺角到FF工艺角的变化拟合为对应的线性方程；计算晶体管间产生的CTAT电压并将CTAT电压与由不同MOS晶体管的宽长比与热电压的乘积产生的PTAT电压相加得到一个与温度系数无关的电压；结合线性方程对得到的与温度系数无关的电压进行分析，实现对工艺偏差影响的消除。本发明提出一种工艺自补偿CMOS电压基准源及其设计方法，通过利用衬底偏置效应补偿工艺偏差技术，

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113325914 B (45)授权公告日 2022.03.22 (21)申请号 202110574096.2 审查员 解鸿国 (22)申请日 2021.05.25

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