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本发明涉及一种基于分光比可调MMI的高消光比的硅基MZI调制器。本发明包括光输入通道、与光输入通道相连接的多模干涉分路器、光输出通道、与光输出通道相连接的多模干涉耦合器；多模干涉分路器及多模干涉耦合器通过光传输波导连接，且光传输波导上附有能负载信号的调制移相臂；多模干涉分路器还包括位于顶部的第一附载电极、第一多模干涉波导及两个多模干涉分路器输出端口，多模干涉耦合器同样包括位于顶部的第二附载电极、第二多模干涉波导及两个多模干涉耦合器输入端口。本发明使MZI在调制时两个臂的光强保持在同一水平上，提高
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113376871 A
(43)申请公布日 2021.09.10
(21)申请号 202110687791.X
(22)申请日 2021.06.21
(71)申请人 昆明理工大学
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