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- 2023-06-21 发布于四川
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本发明涉及光伏发电半导体导电粉体领域，尤其是涉及一种高纯度锡酸镉粉体及其制备方法。包括以下步骤：将氢氧化镉粉体、氧化亚锡粉体与草酸溶液混合，升温干燥，有草酸镉、草酸锡生成；然后装入反应釜中，真空条件下升温，有锡酸镉和亚锡酸镉生成，草酸与氢氧化镉反应生成草酸镉，通入氧气继续升温，草酸镉分解放热，继续有锡酸镉和亚锡酸镉生成，亚锡酸镉再与氧气反应变为锡酸镉，冷却，得到锡酸镉粉体。本发明能够降低反应温度，对环境无污染，且反应完全，生成的锡酸镉颜色均匀，单相率生成高，没有结块问题，具有优异的导电性能，得到
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113371754 B
(45)授权公告日 2022.06.10
(21)申请号 202110698372.6 B82Y 40/00 (2011.01)
(22)申请日 2021.06
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