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本发明提供一种可获得应力耐受性优异的薄膜晶体管的氧化物半导体薄膜。氧化物半导体薄膜具有第一氧化物半导体层与第二氧化物半导体层,第一氧化物半导体层及第二氧化物半导体层分别包含作为金属元素的In、Ga、Zn及Sn、以及O,在第一氧化物半导体层中,满足0.05≦In/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.25、0.20≦Ga/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.60、0.20≦Zn/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.60、0.05≦Sn/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.15,在第二氧化物半导体层中,满足0.20≦
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113348562 A
(43)申请公布日 2021.09.03
(21)申请号 202080007374.X (74)专利代理机构 北京同立钧成知识产权代理
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