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2023-06-21 发布于四川
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基于载流子调控的自旋波场效应晶体管及制备方法和应用.pdf

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一种基于载流子调控的自旋波场效应晶体管，属于量子自旋波器件领域。所述自旋波场效应晶体管包括基片，形成于基片上的底电极层和自旋波场效应结构，以及形成于自旋波场效应结构上的顶电极层和微波天线。该器件通过上下电极在垂直方向施加电压，使得半导体薄膜表面出现反型层，该反型层与磁性薄膜中自旋波传播平面密切接触，利用局部电压调整反型层中载流子浓度并对自旋波产生影响，实现对自旋波传输特性的电场调控。本发明中的自旋波器件功耗低、结构简单，与现有技术相比具有稳定可靠的随电场响应优势，半导体薄膜反型层厚度和载流子浓度

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113345957 B (45)授权公告日 2022.05.03 (21)申请号 202110557067.5 H01L 29/78 (2006.01)

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