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带隙基准电路和低失调高电源抑制比带隙基准源，涉及集成电路技术，本发明的带隙基准电路包括：第十六MOS管，其栅端接第五参考点，电流输入端接高电平，电流输出端接第十七MOS管的电流输入端；第十七MOS管，其栅端接第四参考点，电流输出端接基准输出端；第三三极管，其电流输入端接基准输出端，电流输出端接地，基极接第六参考点，基极和电流输入端之间通过一个电容连接；第二三极管，其电流输入端通过第二电阻接基准输出端，基极作为第七参考点连接电流输入端，其电流输出端接地；第一三极管，其电流输入端接第六参考点，基极接
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113359929 B
(45)授权公告日 2022.07.29
(21)申请号 202110834943.4 (51)Int.Cl.
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