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一种具有抗总剂量能力的低阈值电压NMOS管的制作方法.pdfVIP

一种具有抗总剂量能力的低阈值电压NMOS管的制作方法.pdf

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    本发明公开一种具有抗总剂量能力的低阈值电压NMOS管的制作方法，属于半导体工艺制造领域。首先形成NMOS管器件有源区，通过STI硅浅槽对有源区隔离，采用常规加固方法对STI硅浅槽的底部和侧壁进行加固，然后进行HDP填充，之后形成NMOS器件的体区以及后续工艺。对于低阈值电压的NMOS管，体区则是采用两次杂质注入，形成两种深度分布：高能量注入确定NMOS管体区深度，中能量防穿通注入满足NMOS管耐压要求。本发明主要针对低阈值电压的NMOS管的体区浓度分布进行优化改进，提升器件抗总剂量辐照能力，工艺

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113345804 B (45)授权公告日 2022.08.02 (21)申请号 202110567110.6 (51)Int.Cl.

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